應(yīng)用領(lǐng)域：極大規(guī)模集成電路制造專用設(shè)備，工藝時(shí)間短，生產(chǎn)效率高，具有出色的工藝性能，達(dá)到國際先進(jìn)水平。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、晶片直徑8英寸2、產(chǎn)能（片/批次）150片3、晶片高速搬送系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高吞吐量4、精密

應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規(guī)模集成電路制造等領(lǐng)域?qū)M(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝，可用于2-6英寸工藝尺寸。

LPCVD產(chǎn)品應(yīng)用：用于4-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜（如PSG或BPSG等）

　　采用閉管擴(kuò)散的方式。碳化硅漿把石英舟放入石英管后再退出石英管，保證整個(gè)工藝過程完全不受外界環(huán)境干擾。系統(tǒng)整機(jī)清潔降低了石英制品清洗的頻次。控制終端采用專業(yè)工控機(jī)配備進(jìn)口溫控儀表、質(zhì)量流量計(jì)及完善的

　該設(shè)備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點(diǎn)：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

該設(shè)備主要用于納米材料如石墨烯薄膜生長、碳納米管陣列生長等，以及晶片表面生長多晶硅、氮化硅、擴(kuò)散、氧化、退火等工藝

　該設(shè)備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點(diǎn)：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

　該設(shè)備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點(diǎn)：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

青島賽瑞達(dá)電子裝備股份有限公司該設(shè)備主要用在Si片表面生長氮化硅薄膜。特點(diǎn)：40KHZ中頻等離子體，加熱，真空。

用于200-600度的低溫?zé)崽幚恚梢耘渲肗2，H2，O2。特點(diǎn)：低溫爐體，溫控相響應(yīng)快，可以實(shí)現(xiàn)快速降溫，快速升溫。

　該設(shè)備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點(diǎn)：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

用于200-600度的低溫?zé)崽幚恚梢耘渲肗2，H2，O2。特點(diǎn)：低溫爐體，溫控相響應(yīng)快，可以實(shí)現(xiàn)快速降溫，快速升溫。

采用箱式結(jié)構(gòu)，加熱箱體可移動(dòng)，下部配有料車，可實(shí)現(xiàn)2工位率工作。加熱體采用硅鉬棒，可加熱到1500℃，用于藍(lán)寶石退火工藝。

青島賽瑞達(dá)電子裝備股份有限公司用于半導(dǎo)體工藝中氧化、擴(kuò)散爐系列的加熱爐體。可定制3段溫區(qū)、5段溫區(qū)。

LEC單晶爐是采用液體封裝CZ法（Liquid EncapsulatedCzochralski）拉晶，屬于硬軸提拉式單晶爐。該設(shè)備操作方便，采用獨(dú)特的扒渣和加料機(jī)構(gòu)，減少開門次數(shù)，以提升棒料純度及生產(chǎn)