砷化銦是由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)。能帶結構為直接躍遷

一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3

人工合成的化合物半導體材料。 外觀：橙紅色透明晶體。 磷化稼是一種由n從族元素鑲(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導體材料。

一、硅外延的定義 硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型，電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。 二、硅外延

鍍金硅片 現貨供應鍍金硅片鍍鉑硅片，或按客戶要求定制，厚度可以自由選擇 2寸現貨 請聯系我們。哈爾濱特博科技有限公司--實驗室專業供應商 應用 硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有著驚人的運算能

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單晶硅片：硅的單晶體，是一種具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導體器件、太陽能電

可根據客戶要求量身定制各種規格，品質優良，價格低廉，供貨迅速： 1. 外形尺寸： 2"

提供CdZnTe（CZT） wafer ： 尺寸（Size）: 20*25mm*1mm 表面（surface）：Polished The CZT wafer can be us

哈爾濱特博科技有限公司專業供應8寸熱氧化硅片，其他尺寸也可以按客戶要求提供，氧化厚度 可嚴格按客戶要求，日本進口，價格優勢。氧化厚度1000A 2000A 3000A 5000A 700

單壁高純碳納米管 產品基本參數 純度：>90% 外徑：1-2nm [OD=Outer Diameter] 內徑：0.8-1.6nm [ID=Inner D

主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 導電

主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米W 99.9% 50nm 5㎡/g 2.5g/cm3 紫色

主要用途 ★ 金屬和非金屬的表面導電涂層處理 納米銅粉體有高活化表面，在無氧 條件下可在低于粉體熔點的溫度實施涂層。應用于微電子器件的生產。 ★ 催化劑 銅及其合金納米粉體用作催化劑，

主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 納

主要用途 1、廣泛應用于制造耐磨材料、切削刀具、模具、熔煉金屬坩堝等諸多領域 透明碳化鈦陶瓷又是良好的光學材料。 2、磨料和磨具行業碳化鈦磨料是替代氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氧化鉻等傳統研

產品介紹 性能特點：本產品純度高，粒徑小，分布均勻，比表面積大，高表面活 性，松裝密度低，具有極好的力學，熱學，電學和化學性能，即具有高 硬度，高耐磨性和良好的自潤滑，高熱傳導率，低熱膨

產品介紹 本產品純度高、粒徑小、分布均勻，比表面積大、高表面活性，松裝密度 低,、具有耐高溫、抗氧化、強度高、硬度高、導熱性良好，韌性好，碳 化鋯是一種重要的高熔點、高強度和耐腐蝕的高

主要參數： 產品 納米Mo 純度 99.9% 粒度 40nm 比表面積 6㎡/g 松裝密度 0.2g/cm3 紫色 外觀顏色

主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Al 99.9% 50nm 30㎡/g 0.15g/cm3 黑色 主要用途

產品介紹 本產品純度高，粒徑小，比表面積大，表面活性高，紫外光屏蔽大于 80％以上，有很好的阻隔性能。該材料具有良好的導電性，可用作熔 鹽電解的電極和電觸頭等導電材料。用于增韌陶瓷以及

產品介紹 本產品純度高，粒徑小，分布均勻，比表面積大，表面活性高，松裝密 度低，紫外線反射率為90%以上和吸收紅外波段的吸收率在97%以上，器 件的成瓷溫度低，尺寸穩定性好，機械強度高

納米氮化鋯 100nm 99.9% 技術參數 產品歸類 型號 平均粒徑（nm） 純度（%） 比表面積（m2/g） 體積密度（g/cm3） 晶型 顏色 納米級 DK-ZrN-001 100 >99.9