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    4N60TO251MOS場效應管芯片

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    • 主營產品:放大器芯片生產廠家,放電路芯片批發價,并聯穩壓芯片供應商,整流橋堆芯片,深圳電壓比較器芯片
    • 所在地:廣東省#廣東省廣東省深圳市福田區新亞洲電子商城一期6樓
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    4N60是一款高壓MOSFET,專為此而設計具有更好的特性,如切換時間快,門極低充電,低導通電阻和高崎嶇的雪崩特點。該功率MOSFET通常以高速度使用開關應用在電源,PWM電機控制,高的DC到DC轉換器和橋接電路。4N60特征有:RDS(ON)=2.5Ω@VGS=10V,超低柵極電荷(典型15nC)等,4N60采用TO251和TO252封裝形式

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