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    SI2301 20VP溝道增強型MOS場效應管芯片

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    • 所在地:廣東省#廣東省廣東省深圳市福田區新亞洲電子商城一期6樓
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    SI2302是三極管的一種,屬于增強模式場效應晶體管。晶體管類型 :N溝道MOSFET ,最 大功耗PD : 1.25W ,柵極門限電壓VGS : 2.5V(典型值),漏源電壓VDS :20V(極限值),漏極電流ID:2.8A,通態電阻RDS(on):0.145ohm(典型值),柵極漏電流IGSS:±100nA,結溫:55℃to+150℃,封裝形式:SOT-23。

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