穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護(hù)等用途。可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。 廣東固锝電子科

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護(hù)等用途。可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。 廣東固锝電子科

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護(hù)等用途。可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。 廣東固锝電子科

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正

開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管,主要用于電子計(jì)算機(jī)、各種自動(dòng)控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時(shí)間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時(shí)間決定，這個(gè)時(shí)間又稱反向恢復(fù)時(shí)

開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管,主要用于電子計(jì)算機(jī)、各種自動(dòng)控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時(shí)間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時(shí)間決定，這個(gè)時(shí)間又稱反向恢復(fù)時(shí)

開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管,主要用于電子計(jì)算機(jī)、各種自動(dòng)控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時(shí)間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時(shí)間決定，這個(gè)時(shí)間又稱反向恢復(fù)時(shí)

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓

肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士命名的。肖特基二極管結(jié)構(gòu)原理圖（Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的

肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士命名的。肖特基二極管結(jié)構(gòu)原理圖（Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的